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隐裂检测设备SC-MC-W 是南京势创专为光伏行业硅片、电池片缺陷检测打造的高精度自动化检测设备，创新集成 TFC方案、TFC+可见光方案、TFC+背光隐裂方案、明场背光隐裂方案、暗场背光隐裂方案等多样性检测技术，融合NIR红外成像技术与AI智能算法，实现从硅料切片到电池制程全环节的缺陷全覆盖检测。多种方案可按需切换，适配多技术路线电池产品及不同检测场景，兼顾生产效率与检测精度。
SC-MC-W 设备示意
硅锭切割后的单/多晶硅片、类单晶切片出厂质检及制程中间检测，精准识别隐裂、破片、硅落、崩边等缺陷，保障来料质量。
外购硅片、半成品电池片入库质检，杜绝不合格原料进入生产流程，稳定产线运行。
覆盖制绒、扩散、镀膜、刻蚀、金属化等全流程，采用暗场检测方案，有效规避传统方案成像不清晰、干扰大等问题，实时监控工艺损伤。
支持自定义检测参数，多种方案灵活切换，为光伏材料缺陷机理研究、新型算法验证等提供高精度成像数据。
相机模块、光源模块、机加结构件、计算模块四部分构成，稳定可靠。
支持156×156mm~210×210mm（半片/整片），无需更换适配组件。
产能≥6000片/小时，检测时间0.25~0.5s，适配产线节奏。
隐裂、崩边、缺角、碎片、硅落等典型缺陷精准检测。
明场/暗场隐裂方案、TFC系列方案一键切换，适应不同材质/厚度。
兼容PERC/TOPCon/HJT/xBC等主流及新型电池技术。
在线/离线机台，与产线无缝对接，实现检测、分选、报警全流程自动化。
AI算法自动记录缺陷位置/类型/尺寸，生成检测数据，便于工艺追溯。
成像精度≥0.1mm/pixel，多种方案捕捉微小缺陷细节。
曝光时间、缺陷大小/长度/灰度等核心参数支持手动自定义。
成像数据可导出，兼容第三方分析软件，满足生产统计或学术研究。
| 参数名称 | 技术指标 |
|---|---|
| 型号 | SC-MC-W |
| 相机规格 | NIR增强型InGaAs相机/4K线阵CMOS，1k/4k像素，曝光10μs~10s，响应900-1700nm |
| 红外像素 | 1024*1像素 / 4096*2像素 |
| 镜头规格 | 高清广角 16/25/45mm可选，视场角≥80°，可配长焦镜头 |
| 光源规格 | 半导体激光，波长1100±5nm/1300±5nm/1450±5nm |
| 光斑均匀性 | ≥90% (有效检测区域内) |
| 曝光周期 | 20μs~10000μs，步长1ms可调 |
| 检测波长范围 | 900~1700nm (晶硅专用) |
| 兼容尺寸 | 156×156mm ~ 210×210mm (半片/整片) |
| 检测对象厚度 | 160~200μm |
| 检测对象 | 晶硅电池(PERC/TOPCon/HJT/xBC)；镀膜前/制程前工序电池 |
| 可检缺陷类型 | 隐裂、崩边、硅落、缺口、缺角、碎片、划伤等 |
| 载物台尺寸 | 适配自动化轨道（按需定制） |
| 控制方式 | 自研上位软件全自动化控制 |
| 检测精度 | 裂纹宽度＞50μm |
| 成像精度 | ≥0.1mm/pixel |
| 对焦模式/距离 | 手动对焦 / 400-650mm |
| 硬件支架 | 铝合金型、金属钣金等 |
| 检测时间 | 0.25s~2s（依自动化节拍） |
| 测试平台 | Windows + 标配AI检测软件 |
| 功率 | 500-1000W |
| 电源保护 | 逆电流/过载/漏电/静电/过热保护 |
| 运算设备 | 工控计算机 |
| 环境温度 | 15-50℃，湿度30%-70%（无凝结） |
| 设备重量 | 约20kg（以实物为准） |
| 外形尺寸 | 350×250×600mm (L×W×H) |
| 供电 | 单相AC220V±10%，50HZ±1HZ |
专为光伏行业硅片、电池片缺陷检测打造的高精度自动化检测设备，创新集成TFC方案、TFC+可见光方案、TFC+背光隐裂方案、明场背光隐裂方案、暗场背光隐裂方案等多样性检测技术，融合NIR红外成像技术与AI智能算法，实现从硅料切片到电池制程全环节的缺陷全覆盖检测。多种方案可按需切换，适配多技术路线电池产品及不同检测场景，兼顾生产效率与检测精度，为用户提供灵活、高效的定制化检测解决方案。
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